大陆五大12寸晶圆厂 谁是产能冠军？
首先介绍一下晶圆，晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可减少相关成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程中，良品率是很重要的条件。
联电（厦门）联华电子股份有限公司（简称“联电”）成立于1980年，为台湾第一家半导体公司。全球半导体业界的先驱，是第一家导入铜制程产出晶圆、生产12英寸晶圆、产出业界第一个65纳米制程芯片的公司，同时也是第一家采用28纳米制程技术产出芯片的公司。联电的尖端晶圆制造技术协助客户产出速度更快、效能更强的芯片，满足今日应用产品的需要。联电的尖端技术包括高介电系数/金属闸极、低电介值、浸润式微影术与混合信号/RFCMOS技术等。联电是台湾第一家提供晶圆制造服务的公司，也是台湾第一家上市的半导体公司（1985年）。
联电是12寸晶圆生产制造的领导者，目前有两座运转中的12寸晶圆厂。Fab 12A位于台南，自2002年起便开始量产客户产品，目前生产业界最先进的28纳米制程产品，其单月晶圆产能超过50，000片。联电的第二座晶圆厂Fab 12i位于新加坡，这座第二代12寸晶圆厂也已进入量产，单月晶圆产能为45，000片。先进的自动化设备、成熟的缺陷密度与具竞争力的生产周期，加上客户导向的产能扩充计划，使得联电成为实现用户需求的最佳晶圆专工选择。除了12寸厂外，联电拥有七座8寸厂与一座6寸厂，生产半导体产业每个主要领域所需的产品。
联电1月27日替子公司苏州晶圆代工厂和舰科技公告，将以6.13亿元人民币、约新台币30.52亿元，投资入股厦门12寸厂联芯，持股比重将达33.33％。
根据联电的规划，联电预计从2015年起5年内投资联芯，总投资金额将上看13.5亿美元，依计划进度分期出资，初期将由联电在大陆子公司和舰来投资，未来联电将拥有厦门12寸厂6席董事，等于具有营运主导权。而该厂预计今年动土兴建，2016年以55纳米及40纳米制程投产，规划的最大月产能为5万片，并同可争取大陆集成电路产业基金的补助。
中芯国际（北京 武汉） 中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”），是世界领先的积体电路晶圆代工企业之一，也是中国内地顶级规模、技术最先进的积体电路晶圆代工企业。中芯国际向全球客户提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术服务。中芯国际总部位於上海，在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm超大规模晶圆厂；在北京建有一座300mm超大规模晶圆厂，一座控股的300mm先进制程晶圆厂正在开发中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂。中芯国际还在美国、欧洲、日本和台湾地区设立行销办事处、提供客户服务，同时在香港设立了代表处。
中芯国际集成电路制造北京有限公司于2002年7月25日注册成立，是中芯国际的全资子公司，现有员工约1700人。其拥有我国第一条12英寸集成电路生产线。主要是逻辑芯片代工，目前的产能是月产五万片。
中芯国际武汉12英寸晶圆的产能是月产6万片，其主要生产编码型快闪存储器。
英特尔（大连） 英特尔公司（Intel Corporation）是世界上最大的半导体公司，也是第一家推出x86架构处理器的公司，总部在美国加利福尼亚州圣克拉拉。由罗伯特·诺伊斯、高登·摩尔、安迪·葛洛夫，以“集成电子”（Integrated Electronics）之名在1968年7月18日共同创办公司，将高级芯片设计能力与领导业界的制造能力结合在一起。英特尔早期在开发SRAM与DRAM的存储器芯片，在1990年代之前这些存储器芯片是英特尔的主体业务。在1990年代时，英特尔做了相当大的投资在新的微处理器设计上与培养快速崛起的PC工业。
英特尔 1985 年在北京设立代表处。今天英特尔公司慢慢的变成了在华最大的外国投资企业之一，员工数超过 7，500 人。英特尔中国也是英特尔全球部署最全面的第二大机构，包括了芯片制造、封装测试，新技术探讨研究、产品研究开发及营销——英特尔大连芯片厂是英特尔亚洲首家晶圆制造厂，英特尔成都工厂是世界一流的芯片封装测试厂，位于北京的英特尔中国研究院专注于前瞻性嵌入式系统研究，位于上海的英特尔亚太研发中心则是英特尔在中国的研发基地和创新中心。
英特尔大连芯片厂是英特尔半导体（大连）有限公司在大连市投资 25 亿美元建设的先进半导体芯片制造厂，也是英特尔在亚洲设立的第一座芯片厂。工厂于 2007 年底开始建设，2009 年建成投入到正常的使用中，2010 年 10 月正式投产。大连芯片厂的总建筑面积为 16.3 万平米，其中洁净厂房面积达 1.5 万平方米，采用业界主流的 300 毫米硅晶圆和英特尔成熟的 65 纳米制程工艺生产电脑芯片组产品。
1978年，三星半导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展了64KDRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，慢慢的变成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。
三星西安半导体于5月9日竣工，由此高端闪存芯片真正开始量产。西安半导体于2012年9月举行开工奠基仪式，建筑工期约20个月，园区占地约114万平方米，总建筑面积约23万平方米，生产10纳米级NAND 闪存芯片（V-NAND）。三星高端闪存芯片项目从2012年9月12日正式动工，仅仅用了20个月就完成了项目工程建设、设施安装调试、工作人员入住等工作。
SK海力士（无锡） 截至2014年，在SK海力士的总营收中，NAND Flash占比20%，其中SSD占比重约10%。SK海力士计划2015年将NAND Flash营收中，SSD所占比重扩大到两位数，提升NAND Flash的事业力量。2014年创下了企业成立以来，史上新高的营收、营利。
2015年，SK海力士决定采取选择与集中策略，聚焦于20纳米（nm）微细制程DRAM、三阶储存单元（Triple-Level Cell；TLC）的NAND Flash技术，以及固态硬盘（SSD）等优势领域。较弱势的系统芯片方面，将集中发展CMOS影像感测器（CMOS Image Sensor；CIS）。
海力士无锡公司基本的产品为12英寸集成电路晶圆，应用于PC，Server，Graphic，Mobile，Graphic等固态存储器领域。SK海力士中国公司是无锡市惟一获得国务院核准建设的工业项目，一期总投资为20亿美元，二期投资15亿美元，三期项目投资25.55亿美元，四期项目投资20亿美元，SK海力士项目是国内半导体投资最大、技术最先进的项目也是江苏省最大的外商投资单体项目。
SK海力士无锡厂于2013年9月4日遭火灾冲击，由于起火点在晶圆厂内部，无锡厂全面停工长达一个月，单月全球DRAM供给量剧减10%。SK海力士无锡厂火灾过后的10月与11月份投片为3万片及7万片左右。无锡厂满载为13万片。
SK海力士半导体公司（SK Hynix Semiconductor Inc.）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体厂商之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。2012年初，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。
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